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SDRAM

SDRAM ist die Abkürzung für Syncronious Dynamic Random Access Memmory., es handelt es sich also ebenfalls um DRAMs. Mit der Zeit wurden jedoch die Zugriffstechniken des Arbeitsspeichers verbessert, um die Schreib- und Lesegeschwindigkeit zu steigern, wobei das Grundverfahren aber das selbe blieb. Mit der Einführung des EDO-RAM (Extended Data Out DRAM) wurde eine Technik eingeführt, um die Lesezugriffe, die weit aus häufiger vorkommen als Schreibzugriffe, zu steigern. Die SDRAMs zusätzlich die Möglichkeit, Lesezugriffe in einem Burst-Modus durchzuführen. Dabei werden viele direkt hintereinander liegende Speicherzellen nicht mehr einzeln, sondern in einem Block ausgelesen. Dies geschieht nicht bei jedem Zugriff, sondern nur wenn diese Möglichkeit sinnvoll ist. In diesem Fall fällt z.B. die CAS-Latency nur einmal an. Das SDRAM arbeitet mit 3,3V, das es direkt vom Netzteil bezieht.

 

SD-Ram


Intel löste mit mit der Einführung des VX Chipsatzes die Verbreitung der SDRAMs aus, obwohl der VX Chipsatz eher ein Eigentor wurde. Der nachfolgende TX Chipsatz war deutlich besser und wurde auch von anderen Herstellern eingesetzt. Damit stand der Verbreitung des SDRAMs nichts mehr im Wege. Anfänglich wurde der SDRAM wie PS/2 Module mit 66MHz getaktet. Später wurde der Takt auf 100MHz angehoben. Der einzige, der die Entwicklung zu 133MHz weiterbetrieb war VIA. VIA prägte auch die Begriffe PC100 und PC133. Zu dieser Zeit fing auch die Cas Latencyan eine Rolle zu spielen. Einige gute PC100 Module waren schneller als schlechte PC133 Module
Zu dieser Zeit stoppte Intel die Weiterentwicklung der SDRAM Technik und forcierteden RDRAM Speicher. Aufgrund der von Intel geforderten Lizenzzahlungen für RDRAM entwickelten die übrigen Hersteller die nächste Generation des SDRAM Speichers, das DDR SDRAModer auch DDRAM gennant.

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